近日，國內(nèi)光學產(chǎn)業(yè)技術(shù)的最高榮譽之一——《2024年度中國十大光學產(chǎn)業(yè)技術(shù)》獲獎名單揭曉。憑借在半導體晶圓加工領域的突破性成果，邁為股份控股子公司邁為技術(shù)(珠海)有限公司自主研發(fā)的硅晶圓多焦點高精度激光隱形切割設備，從全國156項激光與光學領域申報技術(shù)中脫穎而出，榮獲激光類獎。
關(guān)于活動
據(jù)報道，由光電匯和光博會聯(lián)合主辦的“中國十大光學產(chǎn)業(yè)技術(shù)”年度評選，是面向光學產(chǎn)業(yè)鏈的全國性權(quán)威技術(shù)評選活動，迄今已成功舉辦三屆。本屆評選通過組建由院士引導的五維評價體系和專業(yè)陣容，致力于挖掘行業(yè)前沿創(chuàng)新技術(shù)，共同開拓中國光學產(chǎn)業(yè)新前景。
產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新，共克技術(shù)難關(guān)
邁為股份與中國科學技術(shù)大學（簡稱：中科大）合作研發(fā)的硅晶圓多焦點高精度激光隱形切割設備，創(chuàng)新性地提出“像差補償提精度、分光并行升效率、切深跟隨保平穩(wěn)”技術(shù)，突破了硅晶圓激光隱形切割在精度、效率和穩(wěn)定性方面的瓶頸。
邁為股份晶圓激光改質(zhì)切割（隱切）設備
其中，依托在激光精密制造領域的技術(shù)攻關(guān)，邁為股份負責半導體晶圓隱形切割光路系統(tǒng)設計及關(guān)鍵工藝開發(fā)，結(jié)合中科大有關(guān)激光在半導體晶圓內(nèi)部聚焦的畸變機制及像差補償技術(shù)研究，共同保障設備運行的高精度、高效率、高穩(wěn)定、高良率和無污染。
同時，該創(chuàng)新技術(shù)已成功應用于業(yè)內(nèi)開發(fā)的SDBG（隱形切割后背面研磨）制程中的硅晶圓隱形切割設備，能有效避免傳統(tǒng)切割方式造成的晶圓裂痕、斷層、破片等問題，有助于切割道窄化、提高芯片獲取數(shù)量與抗折強度，填補了國內(nèi)技術(shù)空白。該技術(shù)還能推廣至其他脆性和耐污性差的晶圓材料，有利于優(yōu)化新興消費電子、AI等下游應用場景的解決方案。
伴隨著芯片尺寸微縮化與Chiplet技術(shù)發(fā)展需求，半導體泛切割工藝已成為影響晶圓良率與封裝成本的重要制程。因此，邁為股份聚焦半導體泛切割、2.5D/3D先進封裝領域，為客戶提供封裝工藝整體解決方案。
未來，邁為股份將持續(xù)深化與中科大等高校的合作，以激光技術(shù)為創(chuàng)新引擎，為中國半導體封裝產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻不竭動力。